期刊文献+

VLSI用低介电常数含氟碳膜研究 被引量:2

The Research on Fluorinated Carbon Film for VLSI
下载PDF
导出
摘要 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜。测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密。控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜。 A-C:F thin films were prepared by PECVD method under different conditions. The thickness and dielectric constant were measured, and the chemical structure was analyzed by FTIR. The influence of the deposition techniques on the film composition and dielectric property is strong. The film was found homogeneous in the SEM analysis. The ideal A-C:F thin film could be acquired by choosing the suitable deposition techniques.
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期28-29,32,共3页 Electronic Components And Materials
关键词 VLSI 低介电常数 含氟碳膜 PECVD 沉积速率 等离子体增强化学气相沉积 超大规模集成电路 PECVD deposition rate fluorinated carbon film dielectric constant
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献32

  • 1叶超,宁兆元,甘肇强.轴向二极场MWECR-CVD系统等离子体特性的实验研究[J].核聚变与等离子体物理,1995,15(4):43-48. 被引量:7
  • 2Ning Z Y,Plasma Sci Technol,1999年,1卷,1页
  • 3赵玉芬,元素有机化学,1998年
  • 4邓存,结构化学基础,1995年
  • 5Han S S,J Electrochem Soc,1999年,146卷,9期,3383页
  • 6Ma Y,Appl Phys Lett,1998年,72卷,25期,3353页
  • 7宁兆元,物理学报,1999年,48卷,1950页
  • 8Yang H,Appl Phys Lett,1998年,73卷,1514页
  • 9辛煜,物理学报,1998年,47卷,154页
  • 10张志宏,物理学报,1998年,47卷,1047页

共引文献47

同被引文献10

引证文献2

二级引证文献3

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部