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RuO_2基厚膜电阻电脉冲调阻工艺研究 被引量:3

Study on Trimming Process of RuO_2-based Thick Film Resistor by the Pulse Voltage
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摘要 用厚膜法制备了RuO2基厚膜电阻,研究了电阻值变化与脉冲电压的关系,分析了调阻工艺的特点;测量了电阻的可调整极限,目标值、偏差与初始电阻的特性,最佳阻值调整范围;研究了二次烧结对调整电阻值的影响规律。 The characteristic of resistance change vs. pulse voltage of RuO2 based thick film resistors was investigated, and the trimming process analyzed. Trimming resistance limit, target resistance, characteristic of deviation vs. original resistance, the best trimming range were measured. The effect refiring on resistance was also investigated.
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期42-43,45,共3页 Electronic Components And Materials
关键词 RUO2 电脉冲调阻 二氧化钌基厚膜电阻器 电阻返烧 voltage pulse trimming RuO2-based thick film resistor resistor-refiring
  • 相关文献

参考文献1

  • 1张平春译.厚膜电子材料 [Z].北京: 第四机械工业部厚膜电路情报网,1985.

同被引文献9

引证文献3

二级引证文献20

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