具有发展前途的InSb
出处
《现代材料动态》
2003年第1期12-12,共1页
Information of Advanced Materials
-
1郑焕东,宋福英.MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究[J].红外与激光技术,1995,24(1):43-49. 被引量:1
-
2刘昌林,李仁豪.64×64元InSb阵列CMOS读出电路[J].半导体光电,2000,21(A03):53-55.
-
3田人和,卢武星,李竹怀,高愈尊.InSb中离子注入二次缺陷研究[J].物理学报,1992,41(5):809-813.
-
4毕叔和.红外器件用InSb体单晶[J].电子材料快报,1999(8):14-15.
-
5关树芬.“智能卡”的发展前途广阔[J].国际技术经济导报,1997(5):19-21.
-
6敏建.InSb的超结构[J].电子材料快报,1995(8):14-14.
-
7张星灿,雷胜琼,黄承彩,薛南屏,李卫,田正伦.132元InSb光伏线列的研究[J].红外技术,1991,13(3):1-3.
-
8张星灿,田种运,雷胜琼.InSb混合红外焦平面工艺研究[J].红外技术,1991,13(6):7-11. 被引量:1
-
9刘双,梅笑冰,蔡丽红,黄绮,周均铭.硅上砷化镓分子束外延工艺及器件应用[J].半导体情报,1991,28(6):17-18.
-
10王巍.自积分型读出电路构成红外焦平面阵列的性能分析[J].航空兵器,1999,6(2):14-18. 被引量:1
;