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我国直径最大的区熔硅单晶研制成功

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出处《中外科技信息》北大核心 2002年第12期76-76,共1页

关键词半导体材料应用区熔硅单晶研制

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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1我国直径最大的区熔硅单晶面世[J].今日电子,2002(12):96-96.
2国内最长的区熔硅单晶在天津面世[J].硅铝化合物,2002(2):33-33.
3直径130毫米区熔硅单晶在天津出炉[J].集成电路应用,2002(9):44-44.
4张效雄,周金宝.电力电子的新材料— 高强度掺氮区熔硅单晶[J].上海电器技术,1990(4):18-23.

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2002年第12期

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