意大利制成发光硅半导体
出处
《新材料产业》
2003年第1期43-43,共1页
Advanced Materials Industry
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1发光硅半导体[J].光学精密机械,2002(3):25-25.
-
2意制成发光硅半导体[J].中国信息导报,2002(12):56-57.
-
3意大利制成发光硅半导体[J].节能与环保,2002(11):60-60.
-
4李仪,周咏东,李菊生,蒋红,金亿鑫.稀土铒离子注入多孔硅的发光[J].发光学报,1996,17(1):33-37. 被引量:3
-
5陈海燕,刘永智,戴基智,官周国,周元庆.980nm波段泵浦的掺铒硅酸盐玻璃光波导放大器的增益特性[J].半导体光电,2001,22(6):405-407.
-
6秦希峰,梁毅,王凤翔,李双,付刚,季艳菊.铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究[J].物理学报,2011,60(6):483-487. 被引量:2
-
7李玉国,薛成山.高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为[J].Journal of Semiconductors,2001,22(12):1534-1537. 被引量:1
-
8光学元件[J].电子科技文摘,2002,0(6):31-32.
-
9秦希峰,马桂杰,时术华,王凤翔,付刚,赵金花.铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究[J].物理学报,2014,63(17):205-209. 被引量:1
-
10秦希峰,王凤翔,梁毅,付刚,赵优美.铒离子注入6H-SiC的横向离散研究[J].物理学报,2010,59(9):6390-6393.
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