DirectFETMOSFET确立效率新标准
出处
《电子设计应用》
2003年第1期103-103,共1页
Electronic Design & Application World
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1John Jovalusky.外接电源能量效率新标准[J].电子产品世界,2006,13(01X):72-73.
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2IR为高达2MHz的直流-直流转换器推出DirectFET MOSFET[J].电源技术应用,2003,6(1):14-14.
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39R全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子质量,2003(5):111-111.
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4Alex Mihalka,Jason Chiu,林.DirectFET MOSFET有助于提高同步降压变换器功率密度[J].电子设计应用,2003(10):66-66.
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5IR为零电压开关电源推出业内最佳500V MOSFET[J].电源技术应用,2003,6(1):63-63.
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6江安庆.国际整流器推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件[J].半导体信息,2014(6):4-5.
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7IR推出大罐式极低导能电稿DirectFET MOSFET系列[J].电子产品世界,2014,21(7):65-66.
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8IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子工程师,2003,29(5):62-62.
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9IR推出全新30V功率MOSFET[J].中国集成电路,2003(44):13-14.
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10IR推出200A超软超快恢复二极管适用于高频焊接及电池充电电路[J].电源技术应用,2003,6(1):61-61.
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