宽带隙半导体GaN的快速反应原子束蚀刻

本文描述了宽带隙半导体 GaN 的快速反应原子束蚀刻。(0112)取向蓝宝石上 GaN膜蚀刻深度与蚀刻时间成正比,衬底温度在80—150℃范围内,用 Cl_2蚀刻的速率为0.10—0.12μm/分。该值小于 GaAs(100)的蚀刻速率,但比蓝宝石衬底的蚀刻速率要大十几倍。