摘要
用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .
GaAs/Si/AlAs heterojunctions prepared by MBE are examined.The Si interlayer is found to tune the valence band offset to 0 71eV by XPS.The profile of the 0 5ML Si interlayer at different growth temperatures are investigated by C V technique.The results reveal that the lower growth temperature for GaAs epitaxial layer is required to localize the Si interlayer,whereas for lower temperature the more defects occur in the crystal by DLTS.
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 6)
教育部高等学校骨干教师基金资助项目~~
