摘要
介绍了对半导体激光器的腔面进行钝化处理的方法 ,分别采用几种不同的试剂对腔面进行处理 ,得出不同的结果。实验表明 ,用P2 S5/NH4OH和 (NH4) 2 Sx 共同处理的样品在较高功率时开始发生光学灾变。
Several methods of the passivation of semiconductor laser facets are introduced. Using the technology of facet passivation,the authors treated semiconductor laser facets with several materials. It is found that the samples treated by P 2S 5/NH 4OH and (NH 4) 2S x have catastrophic optical damage (COD) at high output power.
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期14-15,共2页
Laser Technology
基金
中国科学院重大项目
吉林省科委资助
中国科学院"十五"重大支持项目
关键词
半导体激光器
光学灾变
表面钝化
腔面
semiconductor
semiconductor lasers
catastrophic optical damage (COD)
facet passivation