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连续激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算 被引量:3

The analytical calculation of temperature distribution in doping processes of Zn/InP induced by continuous wave laser
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摘要 在实验的基础上 ,分析表面蒸发Zn的InP样品在连续激光诱导下掺杂Zn过程 .在一维热传导问题的第三类边界条件下 ,给出激光辐照有限厚双层材料Zn InP温度分布的一种直观简洁的解析形式 . Based on the experiment, the process of doping of eZn/InP Indued by continuous wave laser was analysed. A brief visual analytical form of temperature distribution on a finite double-material irradiated by a continuous wave laser is presented under the third boundary condition in one-dimensional heat conduction.
作者 田洪涛 陈朝
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期367-371,共5页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金 (批准号 :698870 0 2 )资助的课题~~
关键词 连续激光诱导 解析计算 Zn/InP 温度分布 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 锌掺杂 磷化铟 induced doping by laser Zn/InP temperature distribution
  • 相关文献

参考文献3

  • 1[1]Fokumura K S and Kaneka S 1990 J.Appl.Phys. 67 2359
  • 2[5]Cai Z H et al 2002 Chinese Journal of Quantum Electronics 19 467(in Chinese)[蔡志华等 2002 量子电子学报 19 467]
  • 3[9]Fu R W, Cai Z H, Chen C 2000 Proceedings of SPIE 4086 199

同被引文献26

引证文献3

二级引证文献4

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