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Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的Te离子空位共振能级

Te ION VACANCY RESONANCE LEVEL IN Hg_(1-x)Cd_xTe MATERIALS
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摘要 利用拉曼显微镜在室温下对金属有机化合物气相外延 (MOVPE)和液相外延 (LPE)方法生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料以及用加速坩埚旋转布里奇曼 (ACRT Bridgman)和Te溶剂方法生长的Hg1-xCdxTe体材料进行了系统研究 .在上述 4种方法生长的材料的显微拉曼光谱中 ,均发现在导带底上方且远高于材料导带底对应能级的显微荧光发光峰 .通过详细比较可以判定 ,高于导带底约 1.5eV的显微荧光起源于Hg1-xCdxTe材料中的Te离子空位与材料导带底的共振能级发光 ,从而确定在碲镉汞材料中存在一个稳定的Te离子空位共振能级 . The MOVPE Hg1-xCdxTe epitaxial film, LPE Hg1-xCdxTe epitaxial film and Hg1-xCdxTe bulk wafers grown by ACRT-Bridgman and Te solvent methods were measured by means of Raman microscopy in the room temperature. In all the experimental specimen, the micro-Photoluminescence emission centered above the bottom of Hg1-xCdxTe conduction band about 1.5eV were observed for the first time. It is confirmed that the micro-photoluminescence was induced by the Te ion vacancy resonance level.
作者 黄晖 许京军 张存洲 张光寅
机构地区 昆明物理研究所 南开大学物理科学学院光子学中心
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期27-30,共4页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
关键词 共振能级 Hg1-xCdxTe材料 Te离子空位 显微荧光 拉曼显微镜 薄膜结构 碲镉汞材料 Hg1-xCdxTe materials Te ion vacancies micro-photoluminescence Raman microscopy
分类号 O484.1 [理学—固体物理] TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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参考文献1

二级参考文献10

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共引文献1

红外与毫米波学报
2003年 第1期

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