期刊文献+

多孔硅形成机理研究的新进展

A Review on the Lastest Research on Formation Mechanism of Porous Silicon
下载PDF
导出
摘要 更深入地分析了多孔硅形成的几种模型 ,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点 ,描述了多孔硅的形成过程的一些特性 。 The paper analyses three models about formation of porous silicon, including some new opinions about a few factors influencing the formation of porous silicon, explaining some properties of porous silicon in the formation process and presenting the expectation of its future application and development.
机构地区 辽宁大学物理系
出处 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期93-96,共4页 Journal of Liaoning University:Natural Sciences Edition
关键词 多孔硅 形成机理 晶向 散射 孔隙度 研究进展 半导体材料 反应剂 porous silicon crystal orientation scattering degree of holes.
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献2

共引文献10

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部