热阻最小的功率MOSFET SC—70封装的产品大大改善了热阻
出处
《今日电子》
2001年第11期38-38,共1页
Electronic Products
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1FAN4931:运算放大器[J].世界电子元器件,2010(5):35-35.
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2采用热增强封装的150V N沟道MOSFET[J].今日电子,2014(6):67-67.
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3Vishay推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190V N通道功率MOSFET[J].电子与电脑,2009,9(2):66-66.
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4Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ[J].电子质量,2011(2):38-38.
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5SiA936EDJ:功率MOSFET[J].世界电子元器件,2014(6):25-25.
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6采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET[J].电子设计工程,2010,18(5):154-154.
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7飞兆半导体全新运算放大器为便携和消费产品设计带来低功耗特性[J].电子与封装,2010,10(4):40-41.
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8Vishay推出20VMOSFET可显著提高便携式电子产品[J].集成电路应用,2015,0(3):44-44.
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9SiA427DJ:功率MOSFET[J].世界电子元器件,2011(3):34-34.
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10Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录[J].电子设计工程,2012,20(14):71-71.