用0.13μm CMOS技术的NMOS器件进行热电子与静电放电应力之间相互作用的特性表征与研究
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第1期67-67,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1孟江生,魏同立,郑茳,张佐兰,周东海.低温NMOS器件衬底电流的测试与分析[J].电子器件,1989,12(4):40-41.
-
2索尼两款闪存式1080p全高清DV:SONY HDR-CX520V HDR-CX500V[J].数码,2009(8):39-39.
-
3汪洋.CMOS技术中的光集成电路[J].世界产品与技术,2001(3):22-25.
-
4X-FAB开发出0.35微米CMOS技术[J].电子工程师,2002,28(10):63-63.
-
5程天军.晶体滤波器的频域特性表征量及其测试方法介绍[J].压电晶体技术,1990(3):32-40.
-
6配备新CMOS技术索尼DVD505即将上市[J].通信技术,2006(3):80-80.
-
7秦祖新,曹广军,刘三清.一种双扩散p阱nMOS器件新结构[J].微电子学,1994,24(4):17-21.
-
8三星VP-HMX10C[J].家庭电子,2008(1):22-22.
-
9竺士炀,李金华,林成鲁,高剑侠,严荣良,任迪远.NMOS/SIMOX的γ射线总剂量辐照特性[J].核技术,1995,18(6):368-373. 被引量:2
-
100.1μm CMOS技术的nMOSFET的热载流子效应[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(1):70-70.