关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究

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摘要本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理,并提出相应的解决措施。

作者刘咸成唐景庭伍三忠贾京英郭建辉刘求益

机构地区中国电子科技集团公司第四十八研究所

出处《集成电路应用》 2003年第3期53-55,共3页 Application of IC

关键词注氧机 SOI SIMOX 溅射电离粒子污染半导体材料

1施左宇,林成鲁,朱文化,邹世昌,李金华.退火温度对SOI材料与器件性能的影响[J].固体电子学研究与进展,1992,12(3):242-244.
2Bor-Yen Mao,肖辉杨.注氧绝缘体上硅结构CMOS器件特性[J].微电子学,1989,19(5):28-31.
3Dale G.platteter,郭树田.多次氧注入在制作SOI双极集成电路方面的应用[J].微电子学,1989,19(5):14-18.
4俞晖.高纯水系统的超微粒子污染[J].水处理技术,1993,19(2):69-74. 被引量：1
5颜亨迪.SIMOX的制备及其重要应用[J].微细加工技术,1995(2):67-71.
6陈启兴,吴钦章,徐风民.嵌入式注氧仪控制系统设计[J].微型电脑应用,2006,22(8):31-32.
7檀柏梅,李薇薇,牛新环,王胜利,刘玉岭.Effect of surfactant on removal of particle contamination on Si wafers in ULSI[J].中国有色金属学会会刊：英文版,2006,16(B01):195-198.
8华虹半导体推出0．2μm射频S0I工艺设计工具包[J].中国集成电路,2015,24(4):1-1.
9夏庆锋,杨德仁,马向阳,阙端麟.SOI材料的缺陷及其表征[J].材料导报,2007,21(3):123-125.
10采用紧凑S0IC-8封装的高能效同步稳压器[J].今日电子,2010(8):70-70.

集成电路应用

2003年第3期

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