半导体产业微影技术之关键材料——光刻胶

随着半导体器件细微化及集成度的不断提高,微影制程之关键材料——光刻胶已逐步从负型转向正型,再由G-line走向I-line甚至于DUV,永光化学公司已经可以向客户提供适用大于0.8微米制程的G-line光刻胶,以及目前最小可用于0.35微米制程的I-line光刻胶,并已在DUV的研发中取得进展。由于光刻胶性能对于半导体微影效果具直接影响,为协助半导体制造厂对先进制程的要求,永光化学公司将持续开发以提供最新的解决方案。