低k/碳化硅材料与铜互连线的工艺整合
Process Integration of Low k/SiC Materials with Cu Interconnects
出处
《电子产品世界》
2003年第03B期71-72,76,共3页
Electronic Engineering & Product World
-
1王鹏飞,张卫,王季陶,李伟.用作超大规模集成电路低k材料的有机薄膜[J].微电子技术,2000,28(1):31-36. 被引量:9
-
2宋登元,宗晓萍,孙荣霞,王永青.集成电路铜互连线及相关问题的研究[J].半导体技术,2001,26(2):29-32. 被引量:20
-
3胡夏融,张波,罗小蓉,李肇基.Universal trench design method for a high-voltage SOI trench LDMOS[J].Journal of Semiconductors,2012,33(7):47-50. 被引量:1
-
4三菱推出耐用型低绝缘值材料[J].现代电子技术,2004,27(22):116-116.
-
5杰尔系统发布全球第一款采用低K电介质、0.13微米工艺技术制造的通信芯片[J].无线电工程,2003,33(5).
-
6低K电介质、0.13μm通信芯片[J].电信技术,2003(5):88-88.
-
7杰尔系统公司发布全球第一款采用低K电介质、0.13μm工艺技术制造的通信芯片[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(2):28-28.
-
8亚微纳科技公司领先推出VERSALIS FXP[J].电子工业专用设备,2008,37(9):74-75.
-
9翁寿松.低k电介质及其设备[J].电子工业专用设备,2008,37(5):28-30. 被引量:5
-
10高荣.低K材料在半导体集成电路中的应用与展望[J].集成电路应用,2006,23(8):52-52.