氧化物发光薄膜
出处
《科技开发动态》
2003年第2期47-47,共1页
R&D Information
-
1高压损耗型MOSFET[J].电子元器件应用,2002,4(1):64-64.
-
2柳兆洪,洪良基.硫化锌发光薄膜中铒发光中心[J].厦门大学学报(自然科学版),1991,30(1):33-36. 被引量:2
-
3业界动态[J].实用影音技术,2013(10):20-31.
-
4刘翔,薛建设,贾勇,周伟峰,肖静,曹占峰.金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展[J].现代显示,2010(10):28-32. 被引量:14
-
5申小丹,程东明,吴京京,杨光鲲.金属氧化物气敏元件的研究进展[J].电子与封装,2010,10(3):23-26.
-
6王新锋,郭二军,王丽萍,岳红彦,朱佩,王爽.ZnO纳米棒的制备及其气敏性研究现状[J].材料导报(纳米与新材料专辑),2010,24(2):86-88. 被引量:5
-
7周健,赖君荣,黄鹤辉.铁氧体制备基础及常见原料问题解决[J].钦州学院学报,2006,21(6):84-86.
;