美国宽带隙材料的发展目标
出处
《现代材料动态》
2003年第3期2-4,共3页
Information of Advanced Materials
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1殷景志,王志杰,石家纬.异质结光电晶体管增益特性分析[J].半导体光电,1995,16(2):157-162.
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2韩力英,张存善.垂直腔面发射激光器的结构和应用[J].电子产品世界,2003,10(04B):72-74. 被引量：2
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3科信.硅材料再现技术突破,有望实现200亿美元的电力电子的市场份额[J].半导体信息,2015,0(4):36-36.
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4殷景志,张伟刚.宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究[J].广西工学院学报,1995,6(1):70-75. 被引量：1
-
5邓志杰（摘译）.半导体SiC研究开发现状[J].现代材料动态,2006(6):4-6.
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6一种新型纳米电子材料[J].现代材料动态,2005(8):26-26.
-
7李晓春,梁宏宇,易秀英,肖清武,赵保星.二维组合宽带隙材料的研究[J].物理学报,2007,56(5):2784-2789. 被引量：6
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8宁永强,元光,李树纬,金亿鑫.蓝绿光激光器[J].材料导报,1994,8(5):33-38.
-
9中科院物理所发现新型纳米电子材料[J].天津科技,2005,32(4):34-34.
-
10刘志甫,李永祥,单福凯,徐志华,俞允植.Highly c-Oriented Nanocolumn Structure ZnO Films on Sapphire Substrates by Pulsed Laser Deposition[J].Chinese Physics Letters,2004,21(4):747-749. 被引量：1
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