在双镶嵌铜互联中0.13微米器件生成用的基于PVD和ALD阻挡层的先进技术
Advanced Engineering of PVD and ALD based Barriersfor Sub-micron Device Generations in DualDamascene Copper Interconnects
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期42-46,共5页
Semiconductor Technology
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