摘要
随着超大规模集成电路的发展 ,其特征尺寸已经接近或小于掩膜光刻工艺中所使用的光波长 由于光的衍射和干涉现象 ,实际得到的光刻图形与掩膜图形之间存在一定的误差 为尽量消除这种误差 ,常用的两种方法是OPC和PSM 提出一种基于对象模型的OPC方法以及由此而开发的可实际应用的工具软件OPCM 该方法也为基于规则的OPC提供了产生基本规则的引擎 。
As the feature sizes of integrated circuits have been continually reducing to below exposure wavelength, some correcting techniques, such as OPC and PSM are indispensable to compensate for the distortions on wafer images. In this paper, we present an object-based approach to OPC named OPCM, which is a model-based OPC tool. Also, OPCM is applied to a rule-based OPC to enhance the practicability of the software. We show the validation of the approach by experimental results.
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2003年第3期255-258,共4页
Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics
基金
清华大学基础研究基金 ( 2 0 0 1110 0 2 )资助
