适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底GaAlAs...
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1郭长志,吴立新.半导体BH激光器中散射过程的选模作用[J].Journal of Semiconductors,1989,10(5):334-342.
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2殷景志,沈澍乔,胡礼中.适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs/GaAsBH激光器[J].广西工学院学报,1995,6(1):55-58.
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3殷景志,胡礼中,张皓月.沟道SI-GaAs衬底上正装GaAlAs/GaAs BH激光器的制作[J].半导体光电,1994,15(1):73-77.
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4Ohkur.,Y,喻承幼.极低阈值1.3umGaInAsP/InPDFB PPIBH激光器[J].光纤通信技术,1989(3):30-32.
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5胡礼中,白利伟,赵宇,王美田.差温法制备具有Ti、Zn掺杂限流层的BH激光器[J].光电子.激光,2002,13(4):336-338.
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6张皓月,胡礼中,杨东辉,刘式墉.宽沟道SI-GaAs衬底上适于光发射机的BH激光器[J].高速摄影与光子学,1990,19(2):137-142.
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7张位在,方祖捷.1.3μm DCPBH激光器的千兆赫直接调制[J].光通信技术,1989(4):37-38.
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8何振华,王圩.InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析[J].Journal of Semiconductors,1994,15(9):623-630. 被引量:1
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9师庆华.1.5μm斜坡掩埋异质结InGaA sP/InP激光器[J].液晶与显示,1990,10(4):62-64.