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高压发光二极管的研制及产业化应用 被引量:1

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摘要 本文通过对图形化蓝宝石衬底外延生长、芯片晶粒间隔离及金属导线互联等多种工艺技术的优化,成功研制出集成式高压发光二极管(HV-LED),其产业化光效已超过110lm/W;20mA下的光场分布图,显现出良好的电流扩展性;与传统DC-LED相比,封5W球泡灯时,HV-LED芯片光效达到115lm/W,提升约8%,位居同类产品前列,三安光电已开发系列化高压HV-LED,并实现客制化。
作者 郑建森
出处 《科技传播》 2013年第4期147-147,85,共2页 Public Communication of Science & Technology
  • 相关文献

参考文献2

  • 1罗毅,张贤鹏,韩彦军,钱可元.半导体照明关键技术研究[J].激光与光电子学进展,2007,44(3):17-28. 被引量:26
  • 2Zhou S J,Cao B,Liu S.Optimized ICP etching process for fabrication of oblique GaN sidewall and its application in LED[].ApplPhysA-Mater.2011

二级参考文献3

共引文献25

同被引文献9

引证文献1

二级引证文献1

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