期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

安森美半导体推出新型功率MOSFET

下载PDF

导出

出处《电子设计应用》 2003年第4期104-104,共1页 Electronic Design & Application World

关键词功率MOSFET 安森美半导体公司 24/25V器件

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1IR推出双功率MOSFET 以扩充电源模组元件[J].电源世界,2014,0(9):20-20.
2OptiMOS调压MOSFET[J].世界电子元器件,2010(4):35-35.
3英飞凌推出25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列,使典型服务器的能效达到93%[J].电子与电脑,2010,10(3):75-75.
425V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列[J].电子设计工程,2010,18(4):144-144.

电子设计应用

2003年第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部