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摘要 '超分辨光刻装备项目'通过国家验收国家重大科研装备研制项目'超分辨光刻装备研制'于11月29日通过验收。该光刻机光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片。中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示,该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。

出处《科学中国人》 2018年第23期6-7,共2页 Scientific Chinese

关键词光刻分辨力科学中心光刻机脉冲强磁场超高纯铝特斯拉

分类号 N19 [自然科学总论]

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