等离子体蚀刻基础(上)
-
1一丁.Al的螺旋波等离子体蚀刻特点[J].等离子体应用技术快报,1994(11):16-17.
-
2晓青.负离子等离子体蚀刻硅[J].等离子体应用技术快报,1996(10):6-7.
-
3宏民.螺旋波等离子体蚀刻装置研制[J].等离子体应用技术快报,1995(3):8-10.
-
4李民.在ECR等离子体的选择性SiO2/Si蚀刻中添加氢气的效应[J].等离子体应用技术快报,1997(6):17-18.
-
5Chap.,BN,张一鸣.等离子体蚀刻基础(下)[J].国外核聚变与等离子体应用,1992(2):60-72.
-
6华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆[J].集成电路应用,2017,34(4):90-90.
-
7柳柳.电感耦合等离子体蚀刻(Ba,Sr)TiO3薄膜[J].等离子体应用技术快报,1999(2):5-7.
-
8300mm圆片等离子体蚀刻系统发展面临挑战[J].电子产品世界,1998,5(8):56-57.
-
9甘德昌.在高密度螺旋波等离子体蚀刻器上蚀刻0.35μm多晶硅栅极[J].等离子体应用技术快报,1996(11):9-10.
-
10张晓春,郭永康,郭履容.等离子体蚀刻衍射光学元件[J].中国激光,1993,20(9):663-666. 被引量:1
;