摘要
美国摄影光学仪器工程师学会(SPIE)的光刻年会于1991年3月5～8日在美国加州圣何塞召开,会上继续表明激光和光学技术对半导体线路光刻有巨大影响。本年度强调的技术是相位位移,采用这一技术,波面干涉可使光刻胶刻线的边缘清晰。虽然很多人认为在0.35～0.5μm范围内,可用汞灯的i线(360nm)作光源,但东芝和日立中央实验室的研究者却将KrF激光器用于分布扫描光刻机。采用准分子激光器的分布扫描光刻机可采用KrF(248nm),ArF(193nm)甚至更短的F_2(157nm),其中KrF准分子激光普遍认为可用于0.25μm线宽(64Mbit和256Mbit
出处
《国外激光》
CSCD
1992年第1期36-36,共1页
