GaAs二极管激光器十年的进展

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摘要过去十年中,半导体激光技术已取得巨大进展,九十年代仍无减慢迹象。重要的进展包括:出现了可见波长二极管激光器,改善了光纤系统中的长波InGaAsP激光器的性能。但研制者并没有忽视1962年制成的第一个半导体二极管激光器的砷化镓材料族。GaAs激光器性能大大扩展的关键是发展了新结构。在Appl.Phys.

作者友清

出处《国外激光》 CSCD 1992年第1期15-19,共5页

关键词 GAAS 二极管激光器激光器

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]

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