微腔激光器

近几年来,激光理论和技术有许多突破性进展,尤其是在半导体激光领域。目前利用MBE、MOCVD技术,已研制出低阈值、高输出的量子阱激光器,大大拓宽了这种器件的应用范围。理论上,如人工改变电子能带结构的能带工程概念已有实际应用,获得了高性能的应变层半导体激光器。八十年代以来提出利用腔来控制自发辐射的微腔激光器更是对传统激光器理论的一大突破,受到越来越多的注目。1917年爱因斯坦将光与物质的作用分为自发辐射与受激辐射,并得出著名的有关自发辐射与受激辐射的爱因斯坦关系。