摘要
从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
Recent studies on the 1.55 μm photodetector are reviewed with focus on the growth of SiGe material and the choice of detector's structure. The underling importance of the Ge quantum dot photodetector is also discussed.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期79-83,90,共6页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家重点基础研究发展规划项目(G200036603)
863项目 (2 0 0 2AA3 1 2 0 1 0 )
国家自然科学重大基金资助项目(698962 60 )。