Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究

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摘要用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．

作者郑文莉贾全杰姜晓明蒋最敏

机构地区复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院高能物理研究所

出处《Beijing Synchrotron Radiation Facility》 2001年第2期187-193,共7页 北京同步辐射装置（英文版）

关键词同步辐射X射线反射法薄层异质结构锗 Ge 半导体材料表面偏析分子束外延晶体薄膜生长

分类号 TN304.11 [电子电信—物理电子学] O766.3 [理学—晶体学]

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