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X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层
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摘要
利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。
作者
姜晓明
贾全杰
胡天斗
黄宇营
郑文莉
何伟
冼鼎昌
施斌
蒋最敏
王
机构地区
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
中国科学院高能物理研究所
出处
《Beijing Synchrotron Radiation Facility》
2001年第2期198-204,共7页
北京同步辐射装置(英文版)
关键词
X射线驻波方法
半导体
超薄异质外延层
硅晶体
外延生长
Ge
锗
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O766.3 [理学—晶体学]
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Beijing Synchrotron Radiation Facility
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