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短沟道器件阈电压模型

The Model of Threshold Voltage in Short Channel Devices
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摘要 本文从yau的模型出发,推导出短沟道MOSFET阈电压表达式:得到了与实验一致的结果;并发现,短沟道器件更适合于低温下工作。 The paper derives the expression of short channel MOSFET threshold voltage V_T; and obtains the results, which are in good agreement with the experiment; and discovers that short channel aevices are much suitable for operation in tower temperature.
出处 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 1988年第3期20-25,共6页 Journal of Liaoning University:Natural Sciences Edition
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