摘要
介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。
A novel CVD system called U 3CVD(Combination of UVCVD?UHVCVD and ULPCVD technique) , is introduced. The SiGe materials and SiGe HBT materials are grown by U 3CVD at low temperature of 450℃, background of ultra high vacuum of 10 -7Pa, and ultra low pressure. The SiGe HBT materials have excellent performance.
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期509-512,共4页
Acta Photonica Sinica
