日本研制平面玻璃电脑
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1IBM英飞凌和Macronix合作开发相变存储器[J].电力电子,2005,3(3):13-13.
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2杨晓红,马勇,康庆.退火温度对WO_3薄膜结构及气敏性能的影响[J].电子元件与材料,2009,28(8):50-52. 被引量：1
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3光/热效应型光盘读、写、擦除技术及系统[J].中国新技术新产品,1997(1):51-51.
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4中国研发出首款自主产权PcRAM芯片[J].中国防伪报道,2011(5):61-61.
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5相变存储器[J].世界电子元器件,2010(1):47-47.
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6我国首款自主知识产权相变存储器芯片于上海研制成功[J].新疆农垦科技,2011(3):86-86.
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7张临川,周健,宓锦校,孙志梅.晶态Ge_1Sb_4Te_7的可逆阻变新机理的第一性原理研究[J].中国科技论文,2015,10(10):1174-1177.
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8高密度、低功耗电阻式相变存储器技术研究[J].中国科技成果,2014(16):17-17.
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9王丽英.耐写次数达100万次的相变存储器实现量产[J].今日电子,2010(6):25-25.
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10刘惠勇,姜复松,门丽秋,范正修,干福熹.磁控溅射法制备的高反Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜的光谱性质及短波长静态记录性能[J].光学学报,1998,18(5):587-590. 被引量：2
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