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CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁 被引量：5

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摘要 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
作者 柴春林 杨少延 刘志凯 廖梅勇 陈诺夫
机构地区 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期780-782,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036505) 国家自然科学基金(批准号:60206007)资助项目
关键词 CeO2/Si薄膜 室温蓝光发光 低温紫光致发光 薄膜结构 发光机制 能级跃迁 双离子束外延技术
分类号 O484.41 [理学—固体物理]
  • 相关文献

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引证文献5

二级引证文献9

科学通报
2003年 第8期

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