静电诱发玉米根尖细胞染色体畸变效应的研究

利用玉米根尖染色体畸变和微核率的分析方法,检测高压静电场的诱变效应。结果表明:在300kV/m 的电场强度下,辐照2,4,6,8h 后,各处理组的染色体畸变率和微核率均明显高于对照组,并有随辐照剂量增大而提高的趋势。