基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征
被引量：3
摘要
通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料。Raman光谱,X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构。这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置,且多数形成了GaMnN三元相。超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性。磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制。
基金
国家自然科学基金(批准号:10234040)
中国科学院"百人计划"资助项目
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