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化学汽相淀积多晶硅
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摘要
半导体器件工艺中多晶硅膜的应用越来越广泛。本德等人首先描述了单晶器件介质隔离用的厚多晶硅膜的热传导。最近在制作场效应晶体管(FET)的自对准栅法中采用了多晶硅做栅。在本文发表之前,范等人关于在多晶硅膜中制作相当好FET的报导,使多晶硅纳入有源器件材料。当然,在要求高速度和高封装密度的应用中,多晶硅绝比不上单晶硅器件。但是要求大面积上制作器件和不能用单晶衬底的应用中多晶硅器件则可以满足需要。
作者
李添臣
出处
《微电子学》
CAS
1973年第4期1-9,共9页
Microelectronics
关键词
迁移率
多晶硅
掺杂剂
晶粒间界
晶界
面缺陷
载流子浓度
载流子密度
晶体尺寸
结构缺陷
掺杂浓度
晶粒尺寸
晶粒度
晶粒规格
淀积膜
多晶硅薄膜
衬底
基片
硅烷
有机硅化合物
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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