出处
《痕量分析》
CSCD
1992年第3期10-22,共13页
同被引文献6
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2金文,董绍俊.磷钼酸掺杂的聚吡咯薄膜电极的表征[J].物理化学学报,1994,10(2):183-187. 被引量：4
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5Dong Shaojun，Chin Chem Lett，1991年，2卷，5期，411页
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二级引证文献7
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2万其进,余新武,徐晓晖,兰风远.一取代硅钨杂多酸修饰电极的制备及其电化学性质研究[J].湖北师范学院学报（自然科学版）,1998,0(3):17-20.
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4万其进,张学记,张春光,周性尧.过氧化聚吡咯膜修饰微电极的制备及其电化学特性[J].分析化学,1997,25(9):1031-1033. 被引量：9
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6武五爱,尹志芳,尉景瑞,郭满栋.杂多酸化学修饰电极的研究进展[J].理化检验（化学分册）,2010,46(6):712-716.
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7杨志,王宅中.单缺位磷钨杂多酸聚吡咯修饰电极的制备及其电化学性能[J].分析试验室,1999,18(4):86-90. 被引量：2
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