摘要
本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。
The principle of PtSi Schottky-barrier IRCCD and the development of silicide Schottky-barrier infrared focal plane arrays are reviewed. The structure and design of 64×64, 128×128 elements PtSi Schottkybarrier IR-CCD focal plane arrays fabricated in this lab arc reported.
出处
《红外技术》
CSCD
1992年第3期23-38,共16页
Infrared Technology
关键词
肖特基势垒
探测器
ITCCD
焦平面
Schottky-barrier detectors
Interline transfer
GCD
Focal plane arrays
