MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究被引量：2

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摘要 1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.

作者徐非凡

机构地区中国科学院上海技术物理研究所

出处《红外》 CAS 2003年第5期1-4,10,共5页 Infrared

关键词 MBE生长 HGCDTE材料碲镉汞化合物半导体材料 As掺杂砷掺杂退火分子束外延生长红外焦平面探测器

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2003年第5期

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