集成门极换向晶闸管(IGCT) 被引量：1

Integrated Gate Commutated Thyristor

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摘要介绍了一种新型电力半导体器件——集成门极换向晶闸管(IGCT)的特性、工作原理、关键技术,并指出它必将成为大功率应用中的首选电力半导体器件。 This paper introduces a new power semiconductor device - integrated gate commutated thyristor (IGCT),along with its characteristics,operation principle and key technology,and points out that IGCT will be the prior option for high power application.

作者赵双元

机构地区本溪冶金高等专科学校自动控制系

出处《本溪冶金高等专科学校学报》 2003年第1期13-15,共3页 Journal of Benxi College of Metallurgy

关键词 IGCT 集成门极换向晶闸管门极可关断晶闸管硬驱动缓冲层透明发射极 Integrated gate commutated thyristor GTO Hard driving Buffer layer Transparent emitter

分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]

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