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我国纳米科技成果一览
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职称材料
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出处
《军民两用技术与产品》
2003年第5期25-25,共1页
Dual Use Technologies & Products
关键词
中国
纳米技术
科技成果
氮化镓半导体
合成
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
N1 [自然科学总论]
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0
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0
二级引证文献
0
1
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究获重大突破[J]
.现代材料动态,2007(7):22-22.
2
雷神公司被授予2690万美的元氮化镓半导体研究合同[J]
.航天工业管理,2005(5):41-41.
军民两用技术与产品
2003年 第5期
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