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氮化铝陶瓷的制造及应用
被引量:
3
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摘要
一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加,片子的散热便成为关键问题之一。通过基片散热是一种有效途径。AlN陶瓷由于具有热导率高、热膨胀系数与硅接近、电性能优良、机械性能好、无毒等特性,被认为是最理想的基片材料,因此备受关注。
作者
崔嵩
黄岸兵
贺相传
机构地区
机电部四十三所
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第8期33-36,共4页
New Chemical Materials
关键词
氮化铝
陶瓷
粉末
工艺
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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化工新型材料
1992年 第8期
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