Tb^(3+)掺杂SiO_2-B_2O_3发光材料的制备及发光性质

本文采用溶胶-凝胶法在常温下制备了稀土Tb^(3+)掺杂摩尔百分比为9%的Tb^(3+)-SiO_2、Tb^(3+)-B_2O_3和Tb^(3+)-SiO_2-B_2O_3材料,并用荧光光谱对材料发光性能进行了分析。比对三种不同基质下Tb^(3+)的发光性能,Tb^(3+)-SiO_2材料在400℃退火后的材料的发光性能最好,Tb^(3+)掺杂的B_2O_3和SiO_2-B_2O_3为基质的材料发光性能减弱,说明B_2O_3虽然是较好的荧光基质,但是制备方法,混合比例尚需要深入摸索。