集Si、GaAs和InP优点于一身的三维圆片工艺
3-D wafer process combines benefits of Si, GaAs and InP
出处
《今日电子》
2003年第6期2-2,共1页
Electronic Products
-
1孔月婵,周建军,孔岑,董逊,张有涛,陆海燕,陈堂胜.51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器[J].固体电子学研究与进展,2013,33(3).
-
2程伟,孙岩,王元,陆海燕,常龙,李骁,张勇,徐锐敏.基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器[J].固体电子学研究与进展,2016,36(5).
-
3贾洁,郑华,耿涛,黄念宁.PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术[J].电子与封装,2007,7(11):35-38. 被引量：1
-
4李熙华,胡永军,姚常飞,吴翔,王霄,顾晓春,周剑明,杨立杰.AlGaAs梁式引线PIN管及其应用[J].固体电子学研究与进展,2016,36(2):111-114 141. 被引量：2
-
5董艳.MEMS器件的W2W真空封装研究[J].仪表技术与传感器,2015(5):17-19. 被引量：3
-
6胡志勇.满足高密度组装的SMT三维封装堆叠技术[J].印制电路信息,2009,17(10):58-61. 被引量：2
-
7陈新宇,冯欧,蒋幼泉,许正荣,黄子乾,李拂晓.1～26．5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片[J].固体电子学研究与进展,2007,27(1):37-39. 被引量：2
-
8蒋浩,任春江,陈堂胜,焦刚,肖德坚.基于76.2mm圆片工艺的GaN HEMT可靠性评估[J].固体电子学研究与进展,2011,31(2):115-119. 被引量：3
-
9王伟,林卓伟,陈田,刘军,方芳,吴玺.功耗约束下的3D多核芯片芯核级测试调度算法[J].电子测量与仪器学报,2012,26(7):591-596. 被引量：11
-
10程伟,张有涛,王元,陆海燕,常龙,谢俊领.基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器[J].固体电子学研究与进展,2015,35(4). 被引量：1
