9R全新MOSFET具备快速本体二极管特性
出处
《电子质量》
2003年第5期111-111,共1页
Electronics Quality
-
1IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子工程师,2003,29(5):62-62.
-
2具备快速本体二极管特性的MOSFET[J].国外电子元器件,2003(7):76-76.
-
3IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子质量,2003(4):133-133.
-
4IR为零电压开关电源推出业内最佳500V MOSFET[J].电源技术应用,2003,6(1):63-63.
-
5IR为高达2MHz的直流-直流转换器推出DirectFET MOSFET[J].电源技术应用,2003,6(1):14-14.
-
6IR推出全新30V功率MOSFET[J].中国集成电路,2003(44):13-14.
-
7IR推出200A超软超快恢复二极管适用于高频焊接及电池充电电路[J].电源技术应用,2003,6(1):61-61.
-
8DirectFETMOSFET确立效率新标准[J].电子设计应用,2003(1):103-103.
;