低K电介质、0.13μm通信芯片
出处
《电信技术》
2003年第5期88-88,共1页
Telecommunications Technology
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1胡夏融,张波,罗小蓉,李肇基.Universal trench design method for a high-voltage SOI trench LDMOS[J].Journal of Semiconductors,2012,33(7):47-50. 被引量:1
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2杰尔系统发布全球第一款采用低K电介质、0.13微米工艺技术制造的通信芯片[J].无线电工程,2003,33(5).
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3杰尔系统公司发布全球第一款采用低K电介质、0.13μm工艺技术制造的通信芯片[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(2):28-28.
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4翁寿松.低k电介质及其设备[J].电子工业专用设备,2008,37(5):28-30. 被引量:5
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5宋登元,宗晓萍,孙荣霞,王永青.集成电路铜互连线及相关问题的研究[J].半导体技术,2001,26(2):29-32. 被引量:20
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6耿强,段成华.采用对称结构MRF逻辑的亚微瓦级超低功耗加法器设计[J].微电子学与计算机,2012,29(12):43-46.
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7汪志刚,张波,李肇基.Analysis of OFF-state and ON-state performance in a silicon-on-insulator power MOSFET with a low-k dielectric trench[J].Journal of Semiconductors,2013,34(7):79-85. 被引量:1
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8Bart van Schravendijk,Mahesh Sanganeria,蔡坚.低k/碳化硅材料与铜互连线的工艺整合[J].电子产品世界,2003,10(03B):71-72.
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9范杰,张波,罗小蓉,汪志刚,李肇基.Analytical model for high-voltage SOI device with composite-k dielectric buried layer[J].Journal of Semiconductors,2013,34(9):67-72.
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10Crolles2联盟合作研发先进的CMOS晶圆封装检测技术[J].电子产品世界,2005,12(03A):129-129.
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