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SiC单晶生长 被引量：10

Growth of Bulk SiC
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摘要 本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状。从其结构特点生长方法的选择 。 This paper reviewed the developments and research progress on SiC crystal growth.Structural characteristics,growth methods,problems existing in the growth process and crystal defects are introduced.
作者 刘喆 徐现刚
机构地区 山东大学晶体材料国家重点实验室
出处 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期274-278,共5页 Journal of Materials Science and Engineering
基金 国家杰出青年科学基金资助项目 (60 0 2 540 9) 863资助项目 (2 0 0 1AA31 1 0 8)
关键词 SIC单晶 碳化硅 宽禁带半导体 晶体生长 气相生长 晶体缺陷 silicon carbide single crystal growth wide bandgap semiconductor
分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献28

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同被引文献117

引证文献10

二级引证文献29

材料科学与工程学报
2003年 第2期

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